Samsung Trademark Applications Wskazówka dotycząca pamięci DRAM nowej generacji dla platform HPC i AI

Koreańska Służba Informacji o Prawach Własności Intelektualnej (KIPRIS) przetwarzała w ostatnich tygodniach kilka zgłoszeń znaków towarowych, złożonych przez Samsung Electronics Corporation. Serwisy informacyjne zwróciły uwagę na początku tego miesiąca, że ​​południowokoreański międzynarodowy konglomerat produkcyjny próbował zabezpieczyć termin „Snowbolt” jako pseudonim dla niewydanego produktu opartego na HBM3P DRAM. Znawcy branży i przedstawiciele Samsunga poinformowali, że pamięć o wysokiej przepustowości (przepustowość 5 TB/s na stos) będzie dostępna w nadchodzących serwerach w chmurze, obliczeniach o wysokiej wydajności i sztucznej inteligencji – których premiera planowana jest na późniejszy okres w 2023 roku.

Serwis informacyjny skoncentrowany na Samsungu, SamMobile, zgłosił (15 maja) kolejnych zgłoszeń znaków towarowych dla produktów DRAM (Dynamic Random Access Memory) nowej generacji. Samsung złożył wniosek o przyznanie dwóch dodatkowych pseudonimów – „Shinebolt” i „Flamebolt” – szczegóły opublikowane w Internecie pokazują, że te produkty mają te same deskryptory „oznaczonych towarów” co poprzednia rejestracja „Snowbolt”: „Moduły DRAM o dużej przepustowości do użytku w wydajnego sprzętu komputerowego, sztucznej inteligencji i sprzętu superkomputerowego” oraz „DRAM o dużej przepustowości do użytku w kartach graficznych”. Kye Hyun Kyung, dyrektor generalny Samsung Semiconductor, mówił o ambicjach swojej firmy konkurowania z rywalem TSMC w dostarczaniu najnowocześniejszych technologii komponentów, zwłaszcza w dziedzinie obliczeń AI. Jest zbyt wcześnie, aby stwierdzić, czy te produkty DRAM typu „bolt” będą częścią tego konkurencyjnego posunięcia, ale dobrze jest wiedzieć, że szybsza pamięć jest w drodze – przyszłe generacje procesorów graficznych z pewnością na tym skorzystają.