„Jesteśmy podekscytowani możliwością dostarczenia pierwszej w branży pamięci V-NAND dziewiątej generacji, która zapewni ogromny postęp w przyszłych zastosowaniach. Aby sprostać zmieniającym się potrzebom w zakresie rozwiązań flash NAND, firma Samsung przesunęła granice w architekturze komórek i schemacie operacyjnym w przypadku naszego następnego generacji” – powiedział SungHoi Hur, dyrektor ds. produktów i technologii Flash w Samsung Electronics. „Dzięki naszej najnowszej pamięci V-NAND Samsung będzie nadal wyznaczać trendy na rynku wydajnych dysków półprzewodnikowych (SSD) o dużej gęstości, które spełniają potrzeby nadchodzącej generacji sztucznej inteligencji”.
Dzięki najmniejszemu w branży rozmiarowi ogniw i najcieńszej formie firma Samsung poprawiła gęstość bitową pamięci V-NAND dziewiątej generacji o około 50% w porównaniu z pamięcią V-NAND ósmej generacji. Zastosowano nowe innowacje, takie jak unikanie zakłóceń komórek i wydłużanie żywotności komórek, aby poprawić jakość i niezawodność produktu, a wyeliminowanie fikcyjnych dziur w kanałach znacznie zmniejszyło płaską powierzchnię komórek pamięci.
Ponadto zaawansowana technologia „wytrawiania otworów kanałowych” firmy Samsung potwierdza wiodącą pozycję firmy w zakresie możliwości procesowych. Technologia ta tworzy ścieżki elektronowe poprzez układanie warstw formy i maksymalizuje produktywność produkcji, ponieważ umożliwia jednoczesne wiercenie największej w branży liczby warstw komórek w strukturze z podwójnym stosem. W miarę wzrostu liczby warstw komórek zdolność do przebijania się przez większą liczbę komórek staje się niezbędna, co wymaga bardziej wyrafinowanych technik trawienia.
Pamięć V-NAND dziewiątej generacji jest wyposażona w interfejs flash NAND nowej generacji „Toggle 5.1”, który obsługuje zwiększoną prędkość wejścia/wyjścia danych o 33% do maksymalnie 3,2 gigabita na sekundę (Gb/s). Wraz z nowym interfejsem Samsung planuje umocnić swoją pozycję na rynku wysokowydajnych dysków SSD poprzez rozszerzenie obsługi PCIe 5.0.
Zużycie energii zostało również zmniejszone o 10% dzięki udoskonaleniom w zakresie konstrukcji o niskim poborze mocy w porównaniu z poprzednią generacją. Ponieważ ograniczenie zużycia energii i emisji gazów cieplarnianych staje się dla klientów niezwykle istotne, oczekuje się, że pamięć V-NAND dziewiątej generacji firmy Samsung będzie optymalnym rozwiązaniem dla przyszłych zastosowań.
Samsung rozpoczął w tym miesiącu masową produkcję pamięci V-NAND 9. generacji TLC o pojemności 1 TB, a w drugiej połowie tego roku model z ogniwami czteropoziomowymi (QLC).