Gęstość zapisu korzysta również z ponad 300 aktywnych warstw, przy czym SK Hynix wspomina o pojemności 1 TB (128 GB) z ogniwami trójpoziomowymi i gęstością bitową ponad 20 GB/mm^2. Chip ma rozmiar strony 16 KB, cztery płaszczyzny i interfejs 2400 MT/s. Wzrost gęstości spowoduje niższy koszt za TB podczas procesu produkcyjnego. Oczekuje się, że konsument końcowy ostatecznie skorzysta na zwiększeniu wydajności i pojemności.
Zidentyfikowano pięć obszarów wdrożeń technologicznych dla 3D NAND ósmej generacji:
- Funkcja Triple-Verify Program (TPGM) zawęża rozkład napięcia progowego ogniwa i skraca czas tPROG (czas programu) o 10%, co przekłada się na wyższą wydajność
- Adaptive Unselected String Pre-Charge (AUSP) – kolejna procedura mająca na celu zmniejszenie tPROG o około 2%
- Schemat All-Pass Rising (APR), który zmniejsza tR (czas odczytu) o około 2% i skraca czas narastania wiersza słowa
- Technika Programmed Dummy String (PDS), która skraca czas ustalania linii światowej dla tPROG i tR poprzez zmniejszenie obciążenia pojemnościowego kanału
- Możliwość ponownego odczytu na poziomie płaszczyzny (PLRR), która umożliwia zmianę poziomu odczytu płaszczyzny bez przerywania innych, a tym samym natychmiastowe wydawanie kolejnych poleceń odczytu i poprawę jakości usług (QoS), a tym samym wydajności odczytu
Przedstawiciele SK Hynix nie podali żadnych konkretnych ram czasowych produkcji i ostatecznej daty wprowadzenia na rynek najnowocześniejszej pamięci 3D NAND. Organy nadzorujące branżę oszacowały, że płyty pamięci trafią na półki sklepowe dopiero pod koniec 2024 r. lub w pewnym momencie w 2025 r. W międzyczasie oczekuje się, że 238-warstwowa pamięć NAND 3D NAND siódmej generacji firmy SK Hynix zostanie włączona do cyklu produkcyjnego nowej pamięci produkty, które mają zostać wydane w 2023 roku.