TSMC, globalna odlewnia półprzewodników, zaprasza swoich głównych partnerów na tę doroczną konferencję odbywającą się w pierwszej połowie każdego roku, aby mogli podzielić się swoimi nowymi produktami i technologiami. Uczestnicząc w wydarzeniu pod hasłem „Pamięć, siła sztucznej inteligencji”, firma SK hynix spotkała się z dużym zainteresowaniem za zaprezentowanie najpotężniejszego w branży rozwiązania pamięci AI, HBM3E. Produkt wykazał niedawno wiodącą w branży wydajność, osiągając prędkość transferu wejścia/wyjścia (I/O) do 10 gigabitów na sekundę (Gb/s) w systemie AI podczas oceny sprawdzającej wydajność.
SK hynix utworzyło także strefę współpracy z firmą-gospodarzem, aby podkreślić znaczenie współpracy z TSMC w obszarze CoWoS w celu umocnienia pozycji lidera HBM. Wystawa jest następstwem niedawnego ogłoszenia obu firm, że nawiążą bliższe i bardziej innowacyjne partnerstwo w celu opracowania nowych technologii, takich jak produkty HBM nowej generacji.
Oprócz rozwiązań HBM firma SK hynix zaprezentowała także gamę swoich produktów o wysokiej wydajności, które mają stanowić uzupełnienie branży sztucznej inteligencji. Oferta obejmowała pamięć CXL ze zintegrowanym interfejsem, moduły pamięci MCR DIMM i 3DS RDIMM dla serwerów, LPCAMM2 i LPDDR5T zoptymalizowane pod kątem sztucznej inteligencji na urządzeniu oraz graficzną pamięć DRAM GDDR7 nowej generacji.
Podczas warsztatów, które odbyły się dwa dni przed Sympozjum Technologicznym TSMC 2024, dyrektor HBM PI Unoh Kwon i dyrektor ds. inżynierii opakowań Jaesik Lee przedstawili wykład zatytułowany „HBM i heterogeniczna zintegrowana technologia”. Jak widać z aktywnego udziału w sympozjum, firma SK hynix planuje wzmocnić konkurencyjność swojej pamięci opartej na sztucznej inteligencji poprzez rozwój partnerstw w różnych obszarach, w tym technologii, biznesu i trendów.