SK hynix zdiagnozował, że branża pamięci półprzewodnikowych stoi w obliczu bezprecedensowego pogorszenia warunków rynkowych w miarę utrzymywania się niepewności w środowisku biznesowym. Pogorszenie nastąpiło, gdy zmniejszyły się dostawy producentów komputerów i smartfonów, którzy są głównymi nabywcami układów pamięci.
Jednak firma SK hynix przewidziała, że zapotrzebowanie na układy pamięci w serwerach centrów danych, choć w krótkim okresie maleje, będzie nadal rosło w perspektywie średnio- i długoterminowej, ponieważ centra danych hiperskalowych kontynuują inwestycje, aby sprostać rosnącej skali branże takie jak sztuczna inteligencja (AI), big data i metaverse. SK hynix podkreślił, że będąc liderem najnowszych technologii DRAM, takich jak produkty o wysokiej przepustowości, w tym pamięć o wysokiej przepustowości 3 (HBM3) i DDR5/LPDDR5, firma umocni swoją pozycję pod względem długoterminowego wzrostu.
Ponadto SK hynix podkreślił, że w przyszłym roku rozszerzy masową produkcję pierwszej w branży 238-warstwowej pamięci 4D NAND, która została opracowana w trzecim kwartale bieżącego roku, zapewniając w ten sposób konkurencyjność kosztową i stale zwiększając rentowność.
Tymczasem SK hynix przewidział, że podaż będzie na razie nadal przewyższać popyt. Biorąc to pod uwagę, firma zdecydowała się na ograniczenie inwestycji w przyszłym roku o ponad 50% r/r. Oczekuje się, że tegoroczna inwestycja osiągnie górną granicę 10-20 bilionów wonów.
SK hynix ujawnił również, że planuje stopniowo zmniejszać wielkość produkcji, koncentrując się na stosunkowo mniej rentownych produktach. Planuje się normalizację równowagi podaży i popytu na rynku poprzez utrzymanie przez pewien czas takiej tendencji do ograniczania inwestycji i produkcji.
„Będziemy skoczyć naprzód jako wiodący gracz zajmujący się pamięcią półprzewodnikową, przezwyciężając ten kryzys w oparciu o nasz potencjał, który w przeszłości zawsze zamieniał kryzysy w okazje” – powiedział Kevin (Jongwon) Noh, dyrektor ds. marketingu (CMO) w SK hynix.