SK hynix poinformowało, że w tym roku rozszerzy zakres uczestnictwa nie tylko poprzez prezentację produktów, ale także wygłoszenie przemówienia wprowadzającego, aby przedstawić swoje wizje przyszłości. Firma planuje w pełni wykorzystać wydarzenie, aby promować swoją konkurencyjność jako lidera w branży rozwiązań pamięci AI, tak jak miało to miejsce w przypadku ogłoszenia rozwoju najwyższej w branży 321-warstwowej pamięci NAND na FMS w zeszłym roku.
Wydarzenie zostanie otwarte przemówieniem inauguracyjnym Unoh Kwon, Head of HBM Process Integration i Chunsung Kim, Head of SSD PMO, w SK hynix, na temat „Przywództwa w zakresie rozwiązań pamięci i pamięci masowej AI oraz wizji ery AI”. Obaj dyrektorzy przedstawią odpowiednio portfolio produktów DRAM i NAND firmy oraz rozwiązania pamięci AI zoptymalizowane pod kątem implementacji AI.
Podczas wydarzenia firma SK Hynix zaprezentuje próbki pamięci AI nowej generacji, takich jak 12-warstwowa pamięć HBM3E, której masowa produkcja ma nastąpić w trzecim kwartale, oraz pamięć NAND o pojemności 321, której sprzedaż planowana jest na pierwszą połowę przyszłego roku.
Firma zaprezentuje również systemy klientów wyposażone w jej flagowe produkty, aby podkreślić silną współpracę z największymi firmami technologicznymi na świecie.
Aby pokazać swoje zaangażowanie w różnorodność, SK hynix postanowiło również sponsorować konferencję FMS Super Women Conference, która odbywa się na marginesie wydarzenia, aby zachęcić wybitne liderki w branży pamięci. Haesoon Oh, szefowa NAND Advanced Process Integration i pierwsza kobieta na stanowisku kierowniczym w firmie, wygłosi prezentację na temat roli różnorodności dla przyszłych innowacji technologicznych SK hynix.
„Wraz z pełnym otwarciem ery AI rośnie znaczenie rozwiązań pamięciowych, połączenia wielu produktów w celu zwiększenia wydajności, zamiast pojedynczych produktów DRAM i NAND” — powiedział Justin Kim, prezes i szef AI Infra w SK hynix. „Na FMS utrwalimy naszą konkurencyjność i technologiczne przywództwo na rynku globalnym”.