Układanie ponad 300 warstw stało się rzeczywistością, gdy firma z sukcesem przyjęła technologię procesową „3 wtyczki”. Proces ten, znany ze swojej doskonałej wydajności produkcyjnej, polega na elektrycznym połączeniu trzech wtyczek w zoptymalizowanym procesie uzupełniającym po trzykrotnym zakończeniu procesów wtykowych. Na potrzeby tego procesu firma SK hynix opracowała materiał o niskim naprężeniu, wprowadzając jednocześnie technologię automatycznie korygującą ustawienie świec.
Dzięki przyjęciu tej samej platformy rozwojowej z pamięci NAND o wysokości 238 w produkcie o wysokości 321 firma mogła również poprawić produktywność o 59% w porównaniu z poprzednią generacją, minimalizując wpływ zmiany procesu.
Najnowszy produkt zapewnia poprawę szybkości przesyłania danych o 12% i wydajności odczytu o 13% w porównaniu z poprzednią generacją. Zwiększa także wydajność odczytu danych o ponad 10%.
SK hynix planuje stale rozszerzać zastosowanie produktów 321-high, dostarczając je do rodzących się aplikacji AI, które wymagają małej mocy i wysokiej wydajności.
Jungdal Choi, dyrektor ds. rozwoju NAND w SK hynix, powiedział, że najnowsze osiągnięcie przybliża firmę o krok do pozycji lidera na rynku pamięci masowych opartych na sztucznej inteligencji, reprezentowanej przez dyski SSD dla centrów danych AI i sztucznej inteligencji na urządzeniach. „SK hynix jest na dobrej drodze do awansu na dostawcę pamięci Full Stack AI poprzez dodanie doskonałego portfolio ultrawydajnych pamięci NAND do działalności DRAM prowadzonej przez HBM”.