LPDDR5T, który działa w ultraniskim zakresie napięć od 1,01 do 1,12 V ustalonym przez JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), to produkt, który nie tylko charakteryzuje się najwyższą szybkością, ale także bardzo niskim zużyciem energii. „Firma osiągnęła nowe granice technologii w ciągu zaledwie dwóch miesięcy po wprowadzeniu na rynek mobilnej pamięci DRAM LPDDR5X o specyfikacji 8,5 Gb/s w listopadzie 2022 r.” — powiedział SK hynix. „Umocnimy naszą pozycję lidera na rynku mobilnej pamięci DRAM, dostarczając produkty o różnych pojemnościach, które spełniają potrzeby klientów”.
SK hynix powiedział, że dostarczył klientom próbki pakietu wieloukładowego o pojemności 16 gigabajtów (GB), który łączy wiele układów LPDDR5T w jednym pakiecie. Zapakowany produkt może przetwarzać 77 GB danych na sekundę, co odpowiada przesłaniu piętnastu filmów FHD (Full-HD) w ciągu jednej sekundy.
SK hynix planuje rozpocząć masową produkcję LPDDR5T przy użyciu 1 anm, czwartej generacji technologii 10 nm, w drugiej połowie roku.
W międzyczasie firma SK hynix po raz kolejny zintegrowała proces HKMG (High-K Metal Gate) z najnowszym produktem, co umożliwiło nowemu produktowi zapewnienie najlepszej wydajności, i oczekuje, że LPDDR5T, który znacznie poszerzył lukę technologiczną, „będzie liderem na rynku przed opracowaniem nowej generacji LPDDR6”.
Branża IT przewiduje rosnący popyt na układy pamięci o zaawansowanych specyfikacjach wraz z dalszym rozwojem rynku smartfonów 5G. W ramach tego trendu SK hynix spodziewa się, że zastosowanie LPDDR5T rozszerzy się poza smartfony na sztuczną inteligencję (AI), uczenie maszynowe i rozszerzoną/wirtualną rzeczywistość (AR/VR).
„Opracowując LPDDR5T, firma spełniła zapotrzebowanie klientów na produkty o ultrawysokiej wydajności” — powiedział Sungsoo Ryu, szef planowania produktów DRAM w SK hynix. „Będziemy kontynuować prace nad rozwojem technologii, aby przewodzić na rynku półprzewodników nowej generacji i stać się przełomem w świecie IT”.