SK hynix ogłasza wyniki finansowe za trzeci kwartał 2023 r

SK hynix Inc. opublikowało dzisiaj wyniki finansowe za trzeci kwartał zakończony 30 września 2023 r. W okresie trzech miesięcy firma odnotowała przychody w wysokości 9,066 biliona wonów, straty operacyjne w wysokości 1,792 biliona wonów i straty netto w wysokości 2,185 biliona wonów. Marża operacyjna i netto wyniosły odpowiednio ujemne 20% i 24%. Po osiągnięciu najniższego poziomu w pierwszym kwartale, firma znajduje się na dobrej drodze do ożywienia, czemu sprzyja rosnący popyt na produkty takie jak wysokowydajne układy pamięci – stwierdziła firma.

„Przychody wzrosły o 24%, podczas gdy straty operacyjne zmniejszyły się o 38% w porównaniu z poprzednim kwartałem, dzięki dużemu popytowi na flagowe produkty mobilne o wysokiej wydajności oraz HBM3, kluczowy produkt do zastosowań AI, a także pamięć DDR5 o dużej pojemności” – podała firma , dodając, że szczególnie obiecująca jest poprawa sytuacji w branży pamięci DRAM po dwóch kwartałach strat. SK hynix przypisał wzrost sprzedaży zwiększonej dostawie zarówno pamięci DRAM, jak i NAND oraz wzrostowi średniej ceny sprzedaży.

W podziale na produkty dostawy pamięci DRAM wzrosły o 20% w porównaniu z trzema miesiącami wcześniej, dzięki dużej sprzedaży wysokowydajnych produktów do zastosowań serwerowych, takich jak sztuczna inteligencja, przy średniej cenie sprzedaży, która również odnotowała wzrost o 10%. Wzrosły także dostawy pamięci NAND, a prym wiodą produkty mobilne o dużej pojemności i dyski półprzewodnikowe.

Przewiduje się, że po tej zmianie sytuacja w branży DRAM przyspieszy, czemu sprzyja popularność technologii generatywnej sztucznej inteligencji, a jednocześnie widać oznaki stałego ożywienia w obszarze pamięci NAND.

Firma stwierdziła, że ​​wraz z pojawieniem się efektu ograniczenia produkcji przez globalnych dostawców pamięci i klientów, w wyniku wysiłków zmierzających do zmniejszenia zapasów i złożenia nowych zamówień, ceny półprzewodników zaczynają się stabilizować.

Aby sprostać nowym wymaganiom, SK hynix planuje zwiększyć inwestycje w flagowe produkty o wysokiej wartości, takie jak HBM, DDR5 i LPDDR5. Spółka zwiększy udział wyrobów wytwarzanych odpowiednio z 1 anm i 1 miliarda oraz czwartej i piątej generacji procesu 10 nm, zwiększając jednocześnie inwestycje w HBM i TSV.

Kim Woohyun, dyrektor finansowy SK hynix, powiedział, że firma umacnia swoją pozycję kluczowego gracza w przyszłej infrastrukturze sztucznej inteligencji, dzięki swojej pozycji lidera na rynku pamięci o wysokiej wydajności.

„Nasza silna pozycja jako kluczowego na świecie dostawcy produktów takich jak HBM i DDR5 pomoże nam odkryć nowe rynki, różniące się od przeszłości” – powiedział Kim. „Będziemy pracować nad wzmocnieniem naszej pozycji najlepszego na świecie dostawcy wysokiej jakości produktów pamięciowych o wysokiej wydajności”.