Dodatkowo Pamięć GDDR7 37 Gb/sFirma Samsung Electronics przygotowuje się do zaprezentowania kilku innych innowacji w zakresie pamięci na konferencji IEEE-SSCC 2024 według opracowania VideoCardz. Na początek firma prezentuje nową, 280-warstwową pamięć flash 3D QLC NAND o gęstości 1 Tb, umożliwiającą następną generację popularnych dysków SSD i pamięci masowej do smartfonów. Układ ten oferuje gęstość powierzchniową na poziomie 28,5 Gb/mm² i prędkość 3,2 GB/s. Dla porównania, najszybsze typy pamięci flash 3D NAND obsługujące obecną gamę flagowych dysków SSD NVMe wymagają szybkości transmisji danych we/wy wynoszącej 2,4 GB/s.
Następny w kolejce jest układ pamięci DDR5 nowej generacji oferujący szybkość transmisji danych DDR5-8000 przy gęstości 32 Gbit (4 GB). Układ ten wykorzystuje architekturę symetryczno-mozaikowych komórek DRAM i jest zbudowany na węźle odlewniczym klasy 10 nm firmy Samsung zoptymalizowanym pod kątem produktów DRAM. Imponujące w tym chipie jest to, że umożliwi dostawcom pamięci do komputerów PC budowanie modułów DIMM o pojemności 32 GB i 48 GB w konfiguracji jednorzędowej z szybkościami DDR5-8000; a także moduły DIMM 64 GB i 96 GB w konfiguracji dual-rank (imponujące, pod warunkiem, że Twoja platforma może dobrze współpracować z pamięcią DDR5-8000 w konfiguracji dual-rank).