Jung-Bae Lee, prezes i dyrektor działu pamięci w firmie Samsung Electronics, największego na świecie dostawcy pamięci NAND, zauważył w poście na blogu, że firma Samsung planuje opracować pamięć V-NAND dziewiątej generacji złożoną z ponad 300 warstw, z myślą o masowej produkcji w 2024. Pamięć V-NAND firmy Samsung wykorzystuje strukturę podwójnego stosu i oczekuje się, że będzie mieć więcej aktywnych warstw niż pamięć 3D NAND konkurencji, taka jak mająca się wkrótce ukazać pamięć 321-warstwowa SK Hynix. Zwiększenie liczby warstw umożliwia firmie Samsung zwiększenie gęstości pamięci i wydajności w przyszłych urządzeniach 3D NAND, koncentrując się na szybkości wejścia/wyjścia (I/O). Choć szczegółowe informacje dotyczące wydajności pamięci V-NAND dziewiątej generacji firmy Samsung pozostają nieujawnione, oczekuje się, że pamięć ta będzie wykorzystywana w dyskach SSD PCIe nowej generacji zgodnych ze standardem PCIe 5.0.
Jung-Bae Lee zauważył: „Nowe innowacje strukturalne i materiałowe będą miały kluczowe znaczenie w nadchodzącej erze pamięci DRAM o wielkości poniżej 10 nanometrów (nm) i 1000-warstwowej pionowej pamięci V-NAND. W związku z tym opracowujemy struktury warstwowe 3D i nowe materiałów dla pamięci DRAM, zwiększając jednocześnie liczbę warstw, zmniejszając wysokość i minimalizując zakłócenia komórek w przypadku V-NAND. Dziewiąta odsłona pamięci V-NAND, zaplanowana na rok 2024, wykorzystuje pamięć DRAM klasy 11 nm. Ponadto post na blogu potwierdza zaangażowanie w moduły pamięci CXL (CMM), które umożliwią komponowalną infrastrukturę systemów nowej generacji, zwłaszcza z dyskami SSD o dużej pojemności zasilanymi przez V-NAND.
