Dzięki pierwszej w branży masowej produkcji pamięci QLC 9. generacji V-NAND, która nastąpiła po pierwszej w branży produkcji pamięci V-NAND 9. generacji z komórkami trójpoziomowymi (TLC) w kwietniu tego roku, Samsung umacnia swoją pozycję lidera na rynku pamięci flash NAND o dużej pojemności i wysokiej wydajności.
„Rozpoczęcie udanej masowej produkcji QLC 9. generacji V-NAND zaledwie cztery miesiące po wersji TLC pozwala nam oferować pełną gamę zaawansowanych rozwiązań SSD, które odpowiadają potrzebom ery AI” — powiedział SungHoi Hur, wiceprezes wykonawczy i szef działu Flash Product & Technology w Samsung Electronics. „Ponieważ rynek korporacyjnych dysków SSD wykazuje szybki wzrost przy silniejszym zapotrzebowaniu na aplikacje AI, będziemy nadal umacniać naszą pozycję lidera w tym segmencie dzięki naszym QLC i TLC 9. generacji V-NAND”.
Samsung planuje rozszerzyć zastosowania pamięci QLC dziewiątej generacji V-NAND, zaczynając od markowych produktów konsumenckich, a kończąc na mobilnych pamięciach masowych Universal Flash Storage (UFS), komputerach PC i serwerach SSD dla klientów, w tym dostawców usług w chmurze.
Pamięć QLC dziewiątej generacji V-NAND firmy Samsung łączy w sobie szereg innowacji, które doprowadziły do przełomu technologicznego:
- Niezrównana technologia Channel Hole Etching firmy Samsung została wykorzystana do osiągnięcia najwyższej liczby warstw w branży przy strukturze podwójnego stosu. Wykorzystując wiedzę technologiczną zdobytą z pamięci TLC 9. generacji V-NAND, zoptymalizowano obszar komórek i obwodów peryferyjnych, uzyskując wiodącą w branży gęstość bitów o około 86% wyższą niż w przypadku poprzedniej generacji QLC V-NAND.
- Technologia Designed Mold dostosowuje odstępy między liniami słów (WL), które obsługują komórki, aby zapewnić jednorodność i optymalizację charakterystyki komórek w warstwach i w ich obrębie. Cechy te stają się coraz ważniejsze w miarę wzrostu liczby warstw V-NAND. Zastosowanie Designed Mold poprawiło wydajność retencji danych o około 20% w porównaniu z poprzednimi wersjami, co prowadzi do zwiększonej niezawodności produktu.
- Technologia Predictive Program przewiduje i kontroluje zmiany stanu komórki, aby zminimalizować zbędne działania. Pamięć QLC 9. generacji V-NAND firmy Samsung podwoiła wydajność zapisu i poprawiła prędkość wejścia/wyjścia danych o 60% dzięki udoskonaleniom tej technologii.
- Pobór mocy podczas odczytu i zapisu danych zmniejszył się odpowiednio o około 30% i 50% dzięki zastosowaniu konstrukcji Low-Power Design. Metoda ta redukuje napięcie zasilające komórki NAND i minimalizuje pobór mocy, wykrywając tylko niezbędne linie bitowe (BL).