Samsung podobno pracuje nad technologią tylnego zasilacza w procesie 2 nanometrów



Samsunga i ARM’a ogłosił wspólny projekt w zeszłym tygodniu — partnerzy zamierzają dostarczyć „zoptymalizowany procesor Arm Cortex -X nowej generacji” opracowany w oparciu o najnowszą technologię procesową Gate-All-Around (GAA). Organizacje nadzorujące branżę półprzewodników uważają, że proces 3 nm GAA firmy Samsung Foundry nie spełnił oczekiwań sprzedażowych — raporty sugerują, że wielu klientów zdecydowało się skorzystać z zaawansowanych opcji usług w zakresie trzech nanometrów, takich jak TSMC. Południowokoreański międzynarodowy konglomerat produkcyjny stawia swoje cele w przyszłości — wprowadzając… trwający proces SF2 GAAFET w przygotowaniu — znawcy branży uważają, że kierownictwo Samsunga ma nadzieję na odniesienie znaczącego zwycięstwa w segmencie rynku nowej generacji.

Ostatnio ważne osobistości z branży promują technologię Backside Power Supply Delivery Network (BSPDN) — najnowsze usługi Intel Foundry Services (IFS) materiały prasowe rości sobie prawo do kilku innowacji technologicznych. Doskonałym przykładem jest ambitny plan działania dotyczący pięciu węzłów w ciągu czterech lat (5N4Y), który: „pozostaje na właściwej drodze i zapewni pierwsze w branży rozwiązanie zasilania tylnego.” A Raport biznesowy Chosun proponuje, aby firma Samsung pracowała nad projektami zasilaczy typu Backside Power Supply, co w połączeniu z wewnętrznym 2 nm SF2 GAAFET może „zmienić zasady gry”. Wczesne eksperymenty rzekomo przeprowadzone z dwoma niezidentyfikowanymi rdzeniami ARM przekroczyły oczekiwania — według źródeł Chosuna inżynierom udało się: „zmniejszyć powierzchnię chipa odpowiednio o 10% i 19% oraz udało się poprawić wydajność chipa i efektywność częstotliwościową do jednego -cyfrowy poziom.” Samsung Foundry może dostosowywać harmonogramy swojej masowej produkcji w oparciu o świeżo zgłoszone przełomy technologiczne — projekty SF2 GAAFET + BSPDN mogą pojawić się przed pierwotnie docelowym rokiem 2027. Przed najnowszymi osiągnięciami technologia BSPDN firmy Samsung była połączona z futurystyczną linią 1,7 nm.



Source link

Advertisment

Więcej

Advertisment

Podobne

Advertisment

Najnowsze

Dziewięciu pracowników Google aresztowanych po protestach okupacyjnych dotyczących Projektu Nimbus

Dziewięciu pracowników Google, którzy zajmowali biura firmy w Nowym Jorku i Kalifornii, zostało aresztowanych we wtorek wieczorem po ośmiogodzinnym napadzie.Pracownicy protestowali przeciwko zaangażowaniu...

Wieloletni szef sterowników Linux Nouveau, Ben Skeggs, dołącza do firmy NVIDIA

Ben Skeggs, główny opiekun sterownika GPU NVIDIA o otwartym kodzie źródłowym dla jądra systemu Linux o nazwie Nouveau, dołączył do firmy NVIDIA. ...

NBA zakazuje Jontayowi Porterowi zawodnikowi Toronto Raptors prowadzenia zakładów sportowych online

NBA na stałe wykluczyła z ligi napastnika Toronto Raptors Jontaya Portera za naruszenie zasad hazardu – napisano w oświadczeniu w środę. Według...
Advertisment