Podczas międzynarodowej konferencji IEEE na temat obwodów półprzewodnikowych (ISSCC) firma Samsung Foundry przedstawiła nowy krok w kierunku mniejszych i bardziej wydajnych węzłów. Nowy układ, który został zaprezentowany to układ pamięci 256 Gb, oparty na technologii SRAM. Jednak to wszystko nie brzmi interesująco, dopóki nie wspomnimy o technologii, która za tym stoi. Samsung po raz pierwszy wyprodukował chip z wykorzystaniem technologii tranzystora polowego (GAAFET) firmy w węźle półprzewodnikowym 3 nm. Formalnie istnieją dwa rodzaje technologii GAAFET: zwykła GAAFET, która wykorzystuje nanoprzewody jako żebra tranzystora oraz MBCFET (wielokanałowy kanał FET), w którym zastosowano grubsze żebra w postaci nanoskładu.
Samsung zaprezentował dziś pierwszy chip SRAM, który wykorzystuje technologię MBCFET. Omawiany układ to układ 256 Gb o powierzchni 56 mm². Osiągnięciem Samsunga, z którego jest dumny, jest to, że chip zużywa 230 mV mniej energii do zapisu w porównaniu ze standardowym podejściem, ponieważ tranzystory MBCFET pozwalają firmie zastosować wiele różnych technik oszczędzania energii. Oczekuje się, że nowy 3 nm proces MBCFET wejdzie do produkcji na dużą skalę w 2022 roku, jednak nie widzieliśmy jeszcze demonstracji układów logicznych poza SRAM, jak widzimy dzisiaj. Niemniej jednak nawet demonstracja SRAM to duży postęp i nie możemy się doczekać, aby zobaczyć, co firmie uda się zbudować za pomocą nowej technologii.
