Oparta na wiodącej w branży technologii 1β (1-beta) firmy Micron, pamięć 32 Gb DDR5 DRAM w formie kości 128 GB DDR5 RDIMM zapewnia następujące ulepszenia w porównaniu z konkurencyjnymi produktami 3DS via-silicon via (TSV):
- gęstość bitowa poprawiona o ponad 45%.
- aż o 24% większa efektywność energetyczna
- aż do 16% mniejsze opóźnienie
- aż do 28% poprawy wydajności szkolenia AI
„Jesteśmy dumni, że wyznaczamy nowy standard dla dużej pojemności i szybkiej pamięci w centrach danych dzięki modułom Micron DDR5 RDIMM o pojemności 128 GB, które zapewniają przepustowość i pojemność pamięci wymaganą w przypadku obciążeń wymagających coraz większej mocy obliczeniowej” – powiedział Praveen Vaidyanathan, wiceprezes prezes i dyrektor generalny grupy Compute Products Group firmy Micron. „Micron w dalszym ciągu umożliwia ulepszenia ekosystemu centrów danych dzięki wcześniejszemu dostępowi do naszych zaawansowanych technologii oraz wsparciu w projektowaniu i integracji najnowocześniejszych rozwiązań pamięci o dużej pojemności”.
Rozwiązanie pamięci Micron 32 Gb DDR5 wykorzystuje innowacyjną architekturę kości, zapewniając wiodącą wydajność macierzy i najgęstszą monolityczną pamięć DRAM. Funkcje zarządzania domeną napięcia i odświeżaniem pomagają zoptymalizować sieć dostarczania energii, zapewniając bardzo potrzebną poprawę efektywności energetycznej. Dodatkowo zoptymalizowano współczynnik kształtu matrycy, aby zwiększyć wydajność produkcji kości DRAM o dużej pojemności 32 Gb.
Wykorzystując inteligentne metody produkcji oparte na sztucznej inteligencji, aby umożliwić te światowej klasy innowacje, węzeł technologii procesowej 1β firmy Micron osiągnął dojrzałość w zakresie wydajności w najszybszym czasie w historii firmy. Pamięci RDIMM 128 GB firmy Micron będą dostarczane na platformach o przepustowości 4800 MT/s, 5600 MT/s i 6400 MT/s w 2024 r. i zaprojektowane z myślą o przyszłych platformach o przepustowości do 8000 MT/s.
„Nasze najnowsze procesory AMD EPYC czwartej generacji skorzystają ze zoptymalizowanej pojemności pamięci na rdzeń dzięki modułom RDIMM firmy Micron o pojemności 128 GB, które wykorzystują monolityczną pamięć DRAM o pojemności 32 Gb, aby zapewnić rozwiązanie o obniżonym całkowitym koszcie posiadania dla krytycznych dla biznesu obciążeń związanych z danymi, takich jak sztuczna inteligencja, zaawansowane obliczenia wydajnościowe i wirtualizacja” – powiedział Dan McNamara, starszy wiceprezes i dyrektor generalny Server Business Unit w AMD. „W miarę udoskonalania obliczeń firmy AMD przy użyciu naszych procesorów EPYC nowej generacji, moduły RDIMM firmy Micron o pojemności 128 GB staną się prawdopodobnie jedną z głównych opcji pamięci zapewniających wysoką pojemność i przepustowość na rdzeń, aby sprostać wymaganiom aplikacji intensywnie wykorzystujących pamięć”.
„Z niecierpliwością czekamy na moduł RDIMM 128 GB firmy Micron, oparty na 32 Gb, ze względu na korzyści związane z przepustowością i wydajnością na wat dostępne na rynku serwerów i systemów AI. Firma Intel ocenia tę ofertę pamięci 32 Gb dla kluczowych platform serwerowych DDR5 w oparciu o wynikający z tego całkowity koszt korzyści wynikających z własności klientom korzystającym z rozwiązań chmurowych, sztucznej inteligencji i przedsiębiorstwom” — powiedział dr Dimitrios Ziakas, wiceprezes ds. technologii pamięci i IO firmy Intel.
Moduł Micron 32 Gb-DRAM umożliwia przyszłą rozbudowę portfolio pamięci o zwiększoną przepustowość i energooszczędne produkty MCRDIMM i MRDIMM w standardzie JEDEC w rozwiązaniach o pojemności 128 GB, 256 GB i większej. Dzięki wiodącym w branży innowacjom w zakresie procesów i technologii projektowania firma Micron oferuje szeroką gamę opcji pamięci w modułach RDIMM, MCRDIMM, MRDIMM, CXL i LP, aby umożliwić klientom integrację zoptymalizowanych rozwiązań dla aplikacji AI i obliczeń o wysokiej wydajności (HPC), które odpowiadają ich potrzeby w zakresie optymalizacji przepustowości, pojemności i mocy. Więcej informacji można znaleźć na stronie internetowej firmy Micron poświęconej pamięci DDR5.
