Jednakże postęp ten wiąże się ze znacznymi wyzwaniami technicznymi. Wytrawianie pionowych otworów łączących (przelotek krzemowych lub TSV) jest trudniejsze do osiągnięcia i może prowadzić do wyższej rezystancji kanału. Kioxia proponuje rozwiązania takie jak zastosowanie krzemu monokrystalicznego zamiast polikrzemu i przejście z wolframu na molibden w celu zmniejszenia rezystancji. Sugerują również przejście na wielopasmowe linie słów, aby zmniejszyć obszar matrycy potrzebny do zapewnienia łączności elektrycznej.
Podczas gdy Kioxia koncentruje się na rozwiązaniach technicznych, jej partner produkcyjny, firma Western Digital, wyraża obawy co do ekonomicznej opłacalności dalszego szybkiego postępu. Wiceprezes Western Digital, Robert Soderbery, podkreślił, że pamięć 3D NAND wymaga większej kapitałochłonności, ale zapewnia mniejszą redukcję kosztów w miarę wzrostu gęstości bitowej. Zasugerował spowolnienie wzrostu liczby warstw, aby zoptymalizować rozmieszczenie kapitału i wydłużyć czas życia każdego poziomu węzła. Soderbery stwierdził: „Nie jesteśmy już w kręgu migracji węzłów”.
Ta różnica perspektywy może prowadzić do napięć między Kioxią a Western Digital. Podczas gdy Kioxia zamierza konkurować z liderem branży Samsungiem poprzez szybkie zwiększanie liczby warstw, Western Digital wydaje się bardziej skupiać na maksymalizacji zwrotu z inwestycji na każdym poziomie węzła. Ta rozbieżność może skutkować trudnymi dyskusjami między partnerami na temat tempa i harmonogramu przyszłych udoskonaleń NAND.