SK hynix zorganizowało dziś konferencję prasową, na której przedstawił swoją wizję i strategię na erę sztucznej inteligencji w swojej siedzibie głównej w Icheon w prowincji Gyeonggi, aby podzielić się szczegółami swoich planów inwestycyjnych dotyczących fabryki M15X w Cheongju i klastra półprzewodników Yongin w Korei oraz zaawansowanych opakowań obiektów w stanie Indiana w USA
W wydarzeniu, którego gospodarzem był dyrektor generalny Kwak Noh-Jung, trzy lata przed ukończeniem w maju 2027 r. pierwszej fabryki w klastrze Yongin, uczestniczyli kluczowi menedżerowie, w tym szef AI Infra Justin (Ju-Seon) Kim, dyrektor ds. Rozwój pamięci DRAM Kim Jonghwan, szef komisji NS Ahn Hyun, dyrektor ds. technologii produkcji Kim Yeongsik, dyrektor ds. pakietów i testów Choi Woojin, dyrektor ds. strategii i planowania korporacyjnego Ryu Byung Hoon oraz dyrektor finansowy Kim Woo Hyun.
Po przemówieniu otwierającym wygłoszonym przez Kwaka nastąpiła prezentacja Justina Kima na temat wizji firmy w zakresie pamięci AI, wprowadzenie Choi Woojina do podstawowej technologii SK hynix dla HBM oraz planu zaawansowanych zakładów pakowania w USA, a także przedstawienie przez Kim Yeongsika planów dotyczących Fabryka M15X i obiekty gromady Yongin. Następnie odbyła się sesja pytań i odpowiedzi.
Poniżej znajdują się najważniejsze przesłania z prezentacji podczas wydarzenia.
- Firma prognozuje szybkie rozszerzenie technologii sztucznej inteligencji na szerszą gamę aplikacji na urządzeniach, takich jak smartfony, komputery PC i samochody, z centrum danych
- Oczekuje się, że popyt na ultraszybkie, pojemne i energooszczędne produkty pamięciowe do zastosowań AI gwałtownie wzrośnie
- Firma dysponuje najlepszymi w branży technologiami dla różnych produktów, w tym HBM, pamięci DRAM o dużej pojemności opartej na TSV i wysokowydajnego eSSD
- SK hynix jest gotowy dostarczać klientom najlepsze w branży, dostosowane do indywidualnych potrzeb rozwiązania pamięciowe, poprzez strategiczną współpracę z globalnymi partnerami biznesowymi
- Po stronie produkcyjnej produkcja HBM z 2024 r. została już wyprzedana, natomiast produkcja z 2025 r. została prawie wyprzedana
- Jeśli chodzi o technologię HBM, firma planuje dostarczyć w maju próbki HBM3E o najwyższej wydajności 12 o najlepszych parametrach w branży, co umożliwi rozpoczęcie masowej produkcji w trzecim kwartale
- Spółka dąży do wzrostu jakościowego poprzez lepszą konkurencyjność kosztową, wyższą rentowność przy wzroście sprzedaży produktów z wartością dodaną
- Plan zakłada dalszą poprawę kondycji finansowej poprzez podnoszenie poziomu utrzymywanych środków pieniężnych poprzez elastyczną reakcję inwestycyjną zgodnie ze zmieniającymi się warunkami popytu
- Firma zaangażowana w rozwój gospodarki krajowej, pomagając umocnić pozycję Korei jako potęgi pamięci AI, stając się zaufanym klientem, stabilną firmą, na którą nie mają wpływu okoliczności biznesowe w erze sztucznej inteligencji
Prognozuje się, że łączna ilość danych generowanych na całym świecie w epoce sztucznej inteligencji wzrośnie do 660 zettabajtów w 2030 r. z 15 ZB w 2014 r.
- Zmiany w przemyśle półprzewodników w erze sztucznej inteligencji wymagają zmiany paradygmatu i nowego podejścia do przemysłu
- Pamięć jest jasną odpowiedzią na pytanie, kto może zapewnić zróżnicowaną wartość w erze sztucznej inteligencji
- Pamięć w sercu ery sztucznej inteligencji skoncentrowanej na danych jako cnotliwy cykl przechowywania, gromadzenia i odtwarzania wymaganych danych
- Oczekiwany gwałtowny wzrost wskaźnika sprzedaży pamięci AI, przy czym część pamięci AI prowadzona przez HBM i moduły DRAM o dużej pojemności ma wzrosnąć do 61% w 2028 r. pod względem wartości z około 5% w 2023 r.
- Firma utrzymała wiodącą pozycję technologiczną w różnych zastosowaniach sztucznej inteligencji
- W przestrzeni DRAM firma masowo produkuje HBM3E i moduły o ultrawysokiej pojemności ponad 256 GB, jednocześnie komercjalizując najszybszy na świecie LPDDR5T
- Firma jest czołowym dostawcą pamięci AI, również w przestrzeni NAND, jako jedyny dostawca dysków SSD opartych na QLC o pojemności ponad 60 TB
- Trwa rozwój produktów nowej generacji o ulepszonych parametrach
- Firma planuje wprowadzenie innowacyjnych pamięci, takich jak HBM4, HBM4E, LPDDR6, 300 TB SSD, rozwiązanie CXL Pooled Memory Solution i Processing-In-Memory
Podstawowa technologia dla HBM i zaawansowanych zakładów pakujących w USA autorstwa Choi Woojina
- Opatentowana przez SK hynix technologia MR-MUF to podstawowa technologia opakowań HBM
- Uważa, że firma MR-MUF stanie w obliczu wyzwań technologicznych związanych z nieprawidłowym układaniem wyższych warstw, co widać w udanej masowej produkcji przez SK hynix 12-wysokiego HBM3 z zaawansowaną technologią MR-MUF
- MR-MUF obniża nacisk podczas układania wiórów do poziomu 6%, zwiększa produktywność 4-krotnie poprzez skrócenie czasu potrzebnego na proces, jednocześnie poprawiając odprowadzanie ciepła o 45% w porównaniu z poprzednią technologią
- Zaawansowany MR-MUF wprowadzony niedawno przez SK hynix poprawia odprowadzanie ciepła o 10% dzięki zastosowaniu nowego materiału ochronnego, przy jednoczesnym zachowaniu istniejących zalet MR-MUF
- Zaawansowany MR-MUF, który wykorzystuje metodologię wysokiej temperatury i niskiego ciśnienia, znaną z doskonałej kontroli wypaczeń, optymalne rozwiązanie dla wysokiego składowania i rozwoju technologii w celu realizacji 16-wysokiego układania w toku
- Firma planuje zastosować Advanced MR-MUF do realizacji 16-wysokiego HBM4, jednocześnie wstępnie przeglądając technologię łączenia hybrydowego
- Odrębnie firma ogłosiła w zeszłym miesiącu plan budowy zaawansowanych zakładów pakowania pamięci AI w West Lafayette w stanie Indiana
- Masowa produkcja produktów AI, takich jak HBM nowej generacji z fabryki w Indianie, rozpocznie się w drugiej połowie 2028 r.
- Indiana jest centrum Silicon Heartland, ekosystemu półprzewodników skupionego na Środkowym Zachodzie
- SK hynix wzmocni współpracę z klientami i konkurencyjność w przestrzeni AI w stanie Indiana, jednocześnie wspierając talenty poprzez współpracę z ośrodkami badawczo-rozwojowymi, aby przyczynić się do przyszłości branży AI
Plany inwestycyjne dla M15X w klastrze półprzewodników Cheongju i Yongin autorstwa Kim Yeongsika
Reklama
- Firma planuje budowę fabryki M15X w Cheongju w prowincji Chungcheong Północ, ponieważ szybki wzrost zapotrzebowania na pamięć AI wymaga zwiększenia wydajności przed rozpoczęciem pracy w klastrze Yongin
- M15X, dwupiętrowa fabryka, która obsługuje różne procesy produkcji HBM, w tym EUV, ma zmaksymalizować wydajność produkcji dzięki sąsiedztwu z M15, która zwiększa moce produkcyjne TSV
- Budowa M15X rozpoczęła się w zeszłym miesiącu i zakończy się w listopadzie 2025 r., produkcja masowa od 3 kw. 2026 r.
- Odrębnie firma planuje także budowę klastra półprzewodników Yongin, w którym mieszczą się fabryki, kompleks dla partnerów biznesowych i infrastruktura
- Cztery fabryki będą gotowe, a dostawcy materiałów, komponentów i sprzętu wprowadzą się, aby zbudować ekosystem półprzewodników we współpracy z SK hynix
- Trwa proces formowania terenu, a stopień zaawansowania wyrównywania terenu pod pierwszą fabrykę wynosi około 42%
- Budowa pierwszej fabryki ma się rozpocząć w marcu 2025 r. i zakończyć w maju 2027 r
- Minifabryka zlokalizowana w ramach klastra, aby pomóc krajowym partnerom biznesowym posiadającym cenne pomysły w opracowywaniu nowych technologii i zdobywaniu konkurencyjności, oferując możliwości testowania w praktycznych warunkach pod kątem masowej produkcji
- Pomieszczenie czyste i zasoby ludzkie zostaną udostępnione przez SK hynix bezpłatnie, natomiast władze centralne i lokalne będą wspierać inwestycje i eksploatację sprzętu
- SK hynix będzie działać na rzecz wzmocnienia krajowego ekosystemu i wiodącej pozycji Korei w przemyśle półprzewodników za pośrednictwem klastra Yongin