Tranzystory TSMC CFET w laboratorium, jeszcze wiele pokoleń stąd

Podczas Europejskiego Sympozjum Technologicznego 2023 firma TSMC przedstawiła dodatkowe szczegóły dotyczące nadchodzącej komplementarnej technologii FET (CFET) do zasilania urządzeń krzemowych nowej generacji. Gdy Nanosheet zastąpi FinFET, technologia CFET zrobi to samo z węzłami Nanosheet Gate All Around FET (GAAFET). Jak zauważa firma, tranzystory CFET znajdują się obecnie w laboratoriach TSMC i są testowane pod kątem wydajności, wydajności i gęstości. W porównaniu z GAAFET, CFET zapewni lepszy projekt we wszystkich tych obszarach, ale będzie wymagał kilku dodatkowych etapów produkcji, aby chip działał zgodnie z przeznaczeniem. Integrując zarówno FET typu p, jak i typu n w jednym urządzeniu, CFET będzie wymagał użycia skanerów EUV o wysokiej NA o wysokiej precyzji i dużej mocy do jego wyprodukowania.

Wykorzystanie CFET, jak pokazuje mapa drogowa, jest jednym z ostatnich kroków w świecie krzemu. Będzie to wymagało włączenia nowych materiałów do procesu produkcyjnego, co spowoduje większe inwestycje w badania i rozwój, który jest odpowiedzialny za tworzenie węzłów. Kevin Zhang, starszy wiceprezes TSMC, odpowiedzialny za mapę drogową technologii i rozwój biznesu, zauważa: [roadmap] powiedzieć, że wciąż jest przyszłość. Będziemy nadal pracować nad różnymi opcjami. Mam też dodatek do materiału jednowymiarowego-[based transistors] […]wszystkie z nich są obecnie badane pod kątem przyszłych potencjalnych kandydatów, nie powiemy dokładnie, że architektura tranzystora będzie wykraczać poza Nanosheet”.

Mimo że firma pracuje nad CFET, w miarę kontynuowania badań może pojawić się nowa technologia. Jedyną rzeczą „osadzoną w kamieniu” jest technologia nanosheet GAAGET, która rozpocznie się w węźle 2 nm. Ponadto Zhang dodał: „Tak więc ten Nanosheet zaczyna się od 2 nm, rozsądne jest projektowanie i że Nanosheet będzie używany przez co najmniej kilka pokoleń, prawda? Więc jeśli myślisz o CFET, wykorzystaliśmy [FinFETs] od pięciu pokoleń, czyli ponad 10 lat. Może [device structure] jest czyimś problemem do zmartwienia, wtedy możesz kontynuować pisanie historii”.